IS61WV5128BLL-10TLI

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - микросхема асинхронной памяти 4 Мб (512 КБ x 8), параллельная 10 нс 44-TSOP II
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
1 650
+
Бонус: 33 !
Бонусная программа
Итого: 1 650
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - микросхема асинхронной памяти 4 Мб (512 КБ x 8), параллельная 10 нс 44-TSOP II
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки135
тип продуктаSRAM
торговая маркаISSI
упаковкаTube
упаковка / блокTSOP-44
чувствительный к влажностиYes
eccn3A991B2A
htsus8542.32.0041
серияIS61WV5128BLL
reach statusREACH Unaffected
supplier device package44-TSOP II
длина18.54мм
package typeТонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
minimum operating temperature-40 °C
pin count44
dimensions18.54 x 10.29 x 1.05мм
maximum operating temperature+85 °C
напряжение питания - макс.45 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.2.4 V
тип интерфейсаParallel
eu rohscompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)85
mountingsurface mount
part statusNRND
pcb changed44
standard package nameSOP
supplier packageTSOP-II
voltage - supply2.4V ~ 3.6V
eccn (us)ear99
minimum operating temperature (°c)-40
supplier temperature gradeIndustrial
hts8542.32.00.41
package height1.05(Max)
package length18.52(Max)
package width10.29(Max)
maximum operating supply voltage (v)3.6
maximum operating supply voltage3,6 В
Вес и габариты
минимальное рабочее напряжение питания2,4 В
minimum operating supply voltage (v)2.4
typical operating supply voltage (v)2.5|3.3
technologySRAM - Asynchronous
организация512К x 8 бит
number of ports1
количество портов1
размер памяти4 Mbit
тип памятиSDR
memory size4Mb (512K x 8)
memory typeVolatile
объем памяти4Мбит
memory formatSRAM
время доступа10 ns
chip density (bit)4M
max. access time (ns)10
operating current (ma)40
тип синхронизацииАсинхронный
number of bits/word (bit)8
number of words512K
timing typeAsynchronous
address bus width (bit)19
access time10ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page10ns
number of bits per word8бит
data rate architectureSDR
maximum random access time10нс
ширина адресной шины19бит
Высота 1.05 мм
ТипAsynchronous
Ширина10.29 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль