IS61WV5128BLL-10TLI, 512K x 8, 2.5/3.3V

Микросхемы / Микросхемы памяти / Статическая память - SRAMкорпус: TSOP44-II, инфо: Статическая память 4мБит 512K x 8, 10нс, 2.5-3.3В, примечание: 512K x 8, 2.5/3.3V Статическая RAM, ISSI В продуктах со статической RAM ISSI используется высокопроизводительная технология CMOS. Существует широкий спектр статических ОЗУ, которые включают высокоскоростную асинхронную SRAM 5 В, высокоскоростную асинхронную SRAM с низким энергопотреблением, асинхронные SRAM с низким энергопотреблением 5 В, статическое ОЗУ CMOS сверхнизкого энергопотребления и асинхронные статические ОЗУ PowerSaver TM с низким энергопотреблением. Устройства ISSI SRAM бывают разного напряжения, размера памяти и организации. Они подходят для таких приложений, как кэш-память ЦП, встроенные процессоры, жесткие диски и переключатели на промышленную электронику.