IS61WV25616EDBLL-10TLI

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Стат. ОЗУ 4Mb 256k x 16 10ns Async Стат. ОЗУ
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
1 600
+
Бонус: 32 !
Бонусная программа
Итого: 1 600
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Стат. ОЗУ 4Mb 256k x 16 10ns Async Стат. ОЗУ
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
typeAsynchronous
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки135
тип продуктаSRAM
торговая маркаISSI
упаковкаTray
упаковка / блокTSOP-44
eccn3A991B2A
htsus8542.32.0041
серияIS61WV25616EDBLL
reach statusREACH Unaffected
supplier device package44-TSOP II
minimum operating temperature- 40 C
factory pack quantity135
manufacturerISSI
maximum operating temperature+ 85 C
mounting styleSMD/SMT
packagingTray
product categorySRAM
product typeSRAM
seriesIS61WV25616EDBLL
subcategoryMemory & Data Storage
unit weight0.016579 oz
напряжение питания - макс.35 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.2.4 V
тип интерфейсаParallel
voltage - supply2.4V ~ 3.6V
interface typeParallel
Вес и габариты
supply voltage - max3.6 V
supply voltage - min2.4 V
supply current - max35 mA
technologySRAM - Asynchronous
организация256 k x 16
moisture sensitiveYes
размер памяти4 Mbit
тип памятиSDR
memory size4Mb (256K x 16)
memory typeVolatile
memory formatSRAM
время доступа10 ns
organization256 k x 16
access time10ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page10ns
ТипAsynchronous
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль