IS61WV25616EDBLL-10TLI, (256K x 16, 2.5/3.3V), Статическая память 4мБит 10нс 2.5-3.3В

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IS61WV25616EDBLL-10TLI
Микросхемы / Микросхемы памяти / Статическая память - SRAMкорпус: TSOP44-IIСтат. ОЗУ 4Mb 256k x 16 10ns Async Стат. ОЗУ
Основные
вес, г2.24
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
260
+
Бонус: 5.2 !
Бонусная программа
Итого: 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Микросхемы / Микросхемы памяти / Статическая память - SRAMкорпус: TSOP44-IIСтат. ОЗУ 4Mb 256k x 16 10ns Async Стат. ОЗУ
Основные
вес, г2.24
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
typeAsynchronous
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки135
тип продуктаSRAM
торговая маркаISSI
упаковкаTray
упаковка / блокTSOP-44
eccn3A991B2A
htsus8542.32.0041
серияis61wv
reach statusREACH Unaffected
supplier device package44-TSOP II
minimum operating temperature- 40 C
factory pack quantity135
manufacturerISSI
maximum operating temperature+ 85 C
mounting styleSMD/SMT
packagingTray
product categorySRAM
product typeSRAM
seriesIS61WV25616EDBLL
subcategoryMemory & Data Storage
unit weight0.016579 oz
напряжение питания - макс.35 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.2.4 V
тип интерфейсаParallel
voltage - supply2.4V ~ 3.6V
interface typeParallel
Вес и габариты
напряжение питания, в2.4…3.6 в
рабочая температура-40…+85 гр.c
рабочая температура, °c-40…+85 гр.c
supply voltage - max3.6 V
supply voltage - min2.4 V
supply current - max35 mA
technologySRAM - Asynchronous
организация256 k x 16
интерфейсparallel
напряжение питания2.4…3.6 в
moisture sensitiveYes
размер памяти4 Mbit
тип памятиsram
memory size4Mb (256K x 16)
memory typeVolatile
объем памяти4 мбит(256k x 16)
максимальная тактовая частота (скорость)10 нс
memory formatSRAM
время доступа10 ns
organization256 k x 16
access time10ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page10ns
Корпус
ТипAsynchronous
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль