IS61WV25616BLL-10TL, SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IS61WV25616BLL-10TL
Стат. ОЗУ 4Mb 256Kx16 10ns Async Стат. ОЗУ 3.3v
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature0В°C ~ 70В°C (TA)
packageTray
820
+
Бонус: 16.4 !
Бонусная программа
Итого: 820
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Стат. ОЗУ 4Mb 256Kx16 10ns Async Стат. ОЗУ 3.3v
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature0В°C ~ 70В°C (TA)
packageTray
package / case44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+ 70 C
минимальная рабочая температура0 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки135
тип продуктаSRAM
торговая маркаISSI
упаковкаTray
упаковка / блокTSOP-44
чувствительный к влажностиYes
eccn3A991B2A
htsus8542.32.0041
серияIS61WV25616BLL
reach statusREACH Unaffected
supplier device package44-TSOP II
pin count44
напряжение питания - макс.8 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.2.4 V
тип интерфейсаParallel
eu rohscompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)70
mountingsurface mount
part statusactive
pcb changed44
standard package nameSOP
supplier packageTSOP-II
voltage - supply2.4V ~ 3.6V
eccn (us)ear99
minimum operating temperature (°c)0
supplier temperature gradeCommercial
hts8542.32.00.41
package height1.05(Max)
package length18.52(Max)
package width10.29(Max)
maximum operating supply voltage (v)3.6
process technologyCMOS
Вес и габариты
minimum operating supply voltage (v)2.4
typical operating supply voltage (v)2.5|3.3
диапазон данныхSDR
technologySRAM - Asynchronous
организация256 k x 16
number of ports1
количество портов1
размер памяти4 Mbit
memory size4Mb (256K x 16)
максимальная тактовая частота100 MHz
memory typeVolatile
memory formatSRAM
время доступа10 ns
chip density (bit)4M
max. access time (ns)10
operating current (ma)40
number of bits/word (bit)16
number of words256K
timing typeAsynchronous
address bus width (bit)18
access time10ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page10ns
data rate architectureSDR
ТипAsynchronous
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль