SRAM - микросхема асинхронной памяти 16 Мбайт (1M x 16), параллельная 10 нс, 48-TSOP I

Подробное описание

Основные
вес, г	7.732
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)

3 030 ₽

– +

Бонус: 60.6 !

Бонусная программа

Итого: 3 030 ₽

Купить

SRAM - микросхема асинхронной памяти 16 Мбайт (1M x 16), параллельная 10 нс, 48-TSOP I

Основные
вес, г	7.732
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray
package / case	48-TFSOP (0.724"", 18.40mm Width)
rohs status	ROHS3 Compliant
eccn	3A991B2A
htsus	8542.32.0041
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	48-TSOP I
voltage - supply	2.4V ~ 3.6V
Вес и габариты
technology	SRAM - Asynchronous
memory size	16Mb (1M x 16)
memory type	Volatile
memory format	SRAM
access time	10ns
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	10ns

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

IS61WV102416DBLL-10TLI, SRAM, 16 Мбит, 1М x 16бит, 2.4В до 3.6В, TSOP-I, 48 вывод(-ов), 10 нс