IS61LV6416-10TL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
SRAM - микросхема асинхронной памяти 1 Мб (64 КБ x 16), параллельная 10 нс 44-TSOP II
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature0В°C ~ 70В°C (TA)
packageTray
570
+
Бонус: 11.4 !
Бонусная программа
Итого: 570
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
SRAM - микросхема асинхронной памяти 1 Мб (64 КБ x 16), параллельная 10 нс 44-TSOP II
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature0В°C ~ 70В°C (TA)
packageTray
package / case44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
eccn3A991B2B
htsus8542.32.0041
reach statusREACH Unaffected
supplier device package44-TSOP II
voltage - supply3.135V ~ 3.6V
Вес и габариты
technologySRAM - Asynchronous
memory size1Mb (64K x 16)
memory typeVolatile
memory formatSRAM
access time10ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page10ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль