IS61LV256AL-10TLI, IC: память SRAM; 32Кx8бит; 3,3В; 10нс; TSOP28; параллельный

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IS61LV256AL-10TLI
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеСтат. ОЗУ 256K 32Kx8 10ns Async Стат. ОЗУ 3.3v
Основные
вес, г0.2
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
360
+
Бонус: 7.2 !
Бонусная программа
Итого: 360
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеСтат. ОЗУ 256K 32Kx8 10ns Async Стат. ОЗУ 3.3v
Основные
вес, г0.2
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case28-TSSOP (0.465"", 11.80mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки234
тип продуктаSRAM
торговая маркаISSI
упаковкаTray
упаковка / блокTSOP-28
чувствительный к влажностиYes
eccnEAR99
htsus8542.32.0041
серияIS61LV256AL
reach statusREACH Unaffected
supplier device package28-TSOP I
напряжение питания - макс.25 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.3.135 V
тип интерфейсаParallel
voltage - supply3.135V ~ 3.6V
Вес и габариты
диапазон данныхSDR
technologySRAM - Asynchronous
организация32 k x 8
количество портов1
размер памяти256 kbit
memory size256Kb (32K x 8)
максимальная тактовая частота100 MHz
memory typeVolatile
memory formatSRAM
время доступа10 ns
access time10ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page10ns
ТипAsynchronous
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль