IS61LV25616AL-10TLI

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - микросхема асинхронной памяти 4 Мб (256 КБ x 16), параллельная 10 нс 44-TSOP II
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
1 680
- +
Бонус: 33.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 680
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - микросхема асинхронной памяти 4 Мб (256 КБ x 16), параллельная 10 нс 44-TSOP II
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+85 °C
минимальная рабочая температура-40 °C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки135
тип продуктаSRAM
торговая маркаISSI
упаковкаTray
упаковка / блокTSOP-44
eccn3A991B2A
htsus8542.32.0041
серияIS61LV25616AL
reach statusREACH Unaffected
supplier device package44-TSOP II
число контактов44
размеры18.52 x 10.29 x 1.05мм
length18.52мм
package typeТонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
pin count44
напряжение питания - макс.15 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.3.135 V
тип интерфейсаParallel
automotiveNo
eu rohscompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)85
mountingsurface mount
part statusUnconfirmed
pcb changed44
ppapNo
standard package nameSOP
supplier packageTSOP-II
voltage - supply3.135V ~ 3.6V
eccn (us)ear99
minimum operating temperature (°c)-40
supplier temperature gradeIndustrial
maximum operating supply voltage (v)3.6
process technologyCMOS
Вес и габариты
минимальное рабочее напряжение питания3,135 В
максимальное рабочее напряжение питания3,6 В
minimum operating supply voltage (v)3.135
typical operating supply voltage (v)3.3
диапазон данныхSDR
technologySRAM - Asynchronous
организация256К x 16 бит
number of ports1
количество портов1
размер памяти4 Mbit
memory size4Mb (256K x 16)
максимальная тактовая частота100 MHz
memory typeVolatile
объем памяти4Мбит
memory formatSRAM
время доступа10 ns
chip density (bit)4M
max. access time (ns)10
operating current (ma)110
number of bits/word (bit)16
number of words256K
timing typeАсинхронный
access time10ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page10ns
количество слов256K
number of bits per word16бит
data rate architectureSDR
maximum random access time10нс
address bus width18бит
низкая мощностьYes
Высота 1.05 мм
ТипAsynchronous
Ширина10.29 мм
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль