IS43DR16640C-3DBLI, DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IS43DR16640C-3DBLI
DRAM DDR2,1G, 1,8 В, RoHs 333 МГц, 64Mx16, IT
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
1 380
+
Бонус: 27.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 380
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
DRAM DDR2,1G, 1,8 В, RoHs 333 МГц, 64Mx16, IT
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case84-TFBGA
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаDRAM
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки209
тип продуктаDRAM
торговая маркаISSI
упаковка / блокBGA-84
чувствительный к влажностиYes
eccnEAR99
htsus8542.32.0032
серияIS43DR16640C
reach statusREACH Unaffected
supplier device package84-TWBGA (8x12.5)
напряжение питания - макс.90 mA, 1.9 V
напряжение питания - мин.1.7 V
voltage - supply1.7V ~ 1.9V
Вес и габариты
technologySDRAM - DDR2
организация64 M x 16
ширина шины данных16 bit
размер памяти1 Gbit
memory size1Gb (64M x 16)
максимальная тактовая частота333 MHz
memory typeVolatile
memory formatDRAM
access time450ps
clock frequency333MHz
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page15ns
ТипSDRAM - DDR2
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль