IS42VM16160K-75BLI

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Integrated Circuits (ICs)\MemorySDRAM - ИС мобильной памяти 256 Мбайт (16M x 16) Параллельный 133 МГц 6ns 54-TFBGA (8x8)
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
1 290
+
Бонус: 25.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 290
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Integrated Circuits (ICs)\MemorySDRAM - ИС мобильной памяти 256 Мбайт (16M x 16) Параллельный 133 МГц 6ns 54-TFBGA (8x8)
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case54-TFBGA
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаDRAM
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки348
тип продуктаDRAM
торговая маркаISSI
упаковкаTray
упаковка / блокBGA-54
eccnEAR99
htsus8542.32.0024
серияIS42VM16160K
reach statusREACH Unaffected
supplier device package54-TFBGA (8x8)
рабочее напряжение питания1.8 V
коммерческое обозначениеPowerSaver
напряжение питания - макс.100 mA, 1.95 V
напряжение питания - мин.1.7 V
voltage - supply1.7V ~ 1.95V
Вес и габариты
technologySDRAM - Mobile
организация16 M x 16
ширина шины данных16 bit
размер памяти256 Mbit
memory size256Mb (16M x 16)
максимальная тактовая частота133 MHz
memory typeVolatile
memory formatDRAM
время доступа7.5 ns
access time6ns
clock frequency133MHz
memory interfaceParallel
ТипSDRAM Mobile
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль