DRAM 512M, 3,3 В, SDRAM, 32Mx16, 143 МГц, 54-контактный TSOP II (400 мил) RoHS, IT

Подробное описание

Основные
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	DRAM
максимальная рабочая температура	+ 85 C
минимальная рабочая температура	40 C

2 530 ₽

– +

Бонус: 50.6 !

Бонусная программа

Итого: 2 530 ₽

Купить

DRAM 512M, 3,3 В, SDRAM, 32Mx16, 143 МГц, 54-контактный TSOP II (400 мил) RoHS, IT

Основные
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	DRAM
максимальная рабочая температура	+ 85 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	108
тип продукта	DRAM
торговая марка	ISSI
упаковка / блок	TSOP-54
серия	IS42S16320F
напряжение питания - макс.	110 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.	3 V
Вес и габариты
организация	32 M x 16
ширина шины данных	16 bit
размер памяти	512 Mbit
максимальная тактовая частота	143 MHz
время доступа	5.4 ns
Тип	SDRAM

Отзывов нет

Кнопки