Memory\RAM\DRAM Chips (Dynamic Random Access Memory)Чип DRAM SDRAM 256 Мбит 16Mx16 3,3 В 54-контактный TSOP-II T / R

Подробное описание

Основные
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	DRAM
максимальная рабочая температура	+ 70 C
минимальная рабочая температура	0 C

620 ₽

– +

Бонус: 12.4 !

Бонусная программа

Итого: 620 ₽

Купить

Memory\RAM\DRAM Chips (Dynamic Random Access Memory)Чип DRAM SDRAM 256 Мбит 16Mx16 3,3 В 54-контактный TSOP-II T / R

Основные
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	DRAM
максимальная рабочая температура	+ 70 C
минимальная рабочая температура	0 C
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	1500
тип продукта	DRAM
торговая марка	ISSI
упаковка / блок	TSOP-54
серия	IS42S16160G
рабочее напряжение питания	3.3 V
pin count	54
packaging	Tape and Reel
напряжение питания - макс.	130 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.	3 V
automotive	No
eu rohs	compliant
maximum operating temperature (°c)	70
mounting	surface mount
part status	NRND
pcb changed	54
ppap	No
standard package name	SOP
supplier package	TSOP-II
eccn (us)	ear99
minimum operating temperature (°c)	0
supplier temperature grade	Commercial
maximum operating supply voltage (v)	3.6
process technology	CMOS
interface type	LVTTL
Вес и габариты
minimum operating supply voltage (v)	3
typical operating supply voltage (v)	3.3
организация	16 M x 16
ширина шины данных	16 bit
размер памяти	256 Mbit
максимальная тактовая частота	143 MHz
время доступа	7 ns
chip density (bit)	256M
operating current (ma)	130
organization	16Mx16
number of bits/word (bit)	16
maximum clock rate (mhz)	143
dram type	SDRAM
maximum access time (ns)	5.4
number of i/o lines (bit)	16
number of internal banks	4
number of words per bank	4M
Тип	SDRAM

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

IS42S16160G-7TL-TR, DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II T/R