Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемыDRAM 16 МБ, 3,3 В, SDRAM 1Mx16, 143 МГц, RoHS

Подробное описание

Основные
вес, г	1
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)

510 ₽

– +

Бонус: 10.2 !

Бонусная программа

Итого: 510 ₽

Купить

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемыDRAM 16 МБ, 3,3 В, SDRAM 1Mx16, 143 МГц, RoHS

Основные
вес, г	1
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray
package / case	50-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	DRAM
максимальная рабочая температура	+ 85 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	117
тип продукта	DRAM
торговая марка	ISSI
упаковка	Tray
упаковка / блок	TSOP-50
чувствительный к влажности	Yes
eccn	3A991B2A
htsus	8542.32.0002
серия	IS42S16100H
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	50-TSOP II
напряжение питания - макс.	55 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.	3 V
voltage - supply	3V ~ 3.6V
Вес и габариты
technology	SDRAM
организация	1 M x 16
ширина шины данных	16 bit
размер памяти	16 Mbit
memory size	16Mb (1M x 16)
максимальная тактовая частота	143 MHz
memory type	Volatile
memory format	DRAM
access time	5.5ns
clock frequency	143MHz
memory interface	Parallel
Тип	SDRAM

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

IS42S16100H-7TLI, IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 143МГц; 7нс; TSOP50 II; -40?85°C