Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - синхронная, микросхема памяти ZBT 18 Мб (512K x 36) Параллельная 250 МГц 100-TQFP (20x14)

Подробное описание

Основные
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 100В°C (TJ)
package	Tray

6 370 ₽

– +

Бонус: 127.4 !

Бонусная программа

Итого: 6 370 ₽

Купить

Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - синхронная, микросхема памяти ZBT 18 Мб (512K x 36) Параллельная 250 МГц 100-TQFP (20x14)

Основные
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 100В°C (TJ)
package	Tray
package / case	100-LQFP
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Стат. ОЗУ
максимальная рабочая температура	+ 85 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	36
тип продукта	SRAM
торговая марка	GSI Technology
упаковка	Tray
упаковка / блок	TQFP-100
чувствительный к влажности	Yes
eccn	3A991B2B
htsus	8542.32.0041
серия	GS8160Z36DGT
supplier device package	100-TQFP (20x14)
коммерческое обозначение	NBT SRAM
напряжение питания - макс.	250 mA, 270 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.	2.3 V
тип интерфейса	Parallel
voltage - supply	2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
Вес и габариты
technology	SRAM - Synchronous, ZBT
организация	512 k x 36
размер памяти	18 Mbit
тип памяти	SDR
memory size	18Mb (512K x 36)
максимальная тактовая частота	250 MHz
memory type	Volatile
memory format	SRAM
время доступа	5.5 ns
clock frequency	250MHz
memory interface	Parallel
Тип	NBT Pipeline/Flow Through

Отзывов нет

Кнопки