GS81314LQ19GK-933I

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - четырехпортовый, синхронный, ИС памяти QDR IVe 144 Мб (8M x 18), параллельный 933 МГц, 260-BGA (22x14)
Основные
moisture sensitivity level (msl)4 (72 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 100В°C (TJ)
packageTray
145 000
+
Бонус: 2900 !
Бонусная программа
Итого: 145 000
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - четырехпортовый, синхронный, ИС памяти QDR IVe 144 Мб (8M x 18), параллельный 933 МГц, 260-BGA (22x14)
Основные
moisture sensitivity level (msl)4 (72 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 100В°C (TJ)
packageTray
package / case260-BGA
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+ 100 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки10
тип продуктаSRAM
торговая маркаGSI Technology
упаковкаTray
упаковка / блокBGA-260
чувствительный к влажностиYes
eccn3A991B2B
htsus8542.32.0041
серияGS81314LQ19GK
supplier device package260-BGA (22x14)
коммерческое обозначениеSigmaQuad-IVe
напряжение питания - макс.2.25 A, 1.35 V
напряжение питания - мин.1.25 V
тип интерфейсаParallel
voltage - supply1.25V ~ 1.35V
Вес и габариты
technologySRAM - Quad Port, Synchronous, QDR IVe
организация8 M x 18
размер памяти144 Mbit
тип памятиQDR-IVe
memory size144Mb (8M x 18)
максимальная тактовая частота933 MHz
memory typeVolatile
memory formatSRAM
clock frequency933MHz
memory interfaceParallel
ТипSigmaQuad-IVe B2
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль