GS81313LD18GK-714I

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - четырехпортовый, синхронный, ИС памяти QDR IIIe, 144 Мб (8M x 18), параллельный 714 МГц, 260-BGA (22x14)
Основные
moisture sensitivity level (msl)4 (72 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 100В°C (TJ)
packageTray
105 500
+
Бонус: 2110 !
Бонусная программа
Итого: 105 500
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - четырехпортовый, синхронный, ИС памяти QDR IIIe, 144 Мб (8M x 18), параллельный 714 МГц, 260-BGA (22x14)
Основные
moisture sensitivity level (msl)4 (72 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 100В°C (TJ)
packageTray
package / case260-BGA
eccn3A991B2B
htsus8542.32.0041
supplier device package260-BGA (22x14)
voltage - supply1.2V ~ 1.35V
Вес и габариты
technologySRAM - Quad Port, Synchronous, QDR IIIe
memory size144Mb (8M x 18)
memory typeVolatile
memory formatSRAM
clock frequency714MHz
memory interfaceParallel
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль