GAL16V8-25QP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
GAL16V8 с максимальным временем задержки распространения 3,5 нс сочетает в себе высокопроизводительный процесс CMOS с технологией плавающего затвора с электрическим стиранием (E2), чтобы обеспечить самое высокое быстродействие, доступное на рынке PLD. Высокая скорость стирания (<100 мс) позволяет быстро и эффективно перепрограммировать устройства.
Основные
вес, г2
Вес и габариты
напряжение питания, в5
тип памятиЕЕ PLD
480
+
Бонус: 9.6 !
Бонусная программа
Итого: 480
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
GAL16V8 с максимальным временем задержки распространения 3,5 нс сочетает в себе высокопроизводительный процесс CMOS с технологией плавающего затвора с электрическим стиранием (E2), чтобы обеспечить самое высокое быстродействие, доступное на рынке PLD. Высокая скорость стирания (<100 мс) позволяет быстро и эффективно перепрограммировать устройства.
Основные
вес, г2
Вес и габариты
напряжение питания, в5
тип памятиЕЕ PLD
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль