МИКРОСХЕМЫ\Микросхемы памятиFRAM (сегнетоэлектрическая RAM) ИС памяти 4 Мб (256K x 16) Параллельный 110 нс 44-TSOP II

Подробное описание

Основные
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray

2 600 ₽

- +

Бонус: 52 !

Бонусная программа

Итого: 2 600 ₽

Купить

МИКРОСХЕМЫ\Микросхемы памятиFRAM (сегнетоэлектрическая RAM) ИС памяти 4 Мб (256K x 16) Параллельный 110 нс 44-TSOP II

Основные
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray
package / case	44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs status	ROHS3 Compliant
упаковка	Tray
eccn	EAR99
htsus	8542.32.0071
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	44-TSOP II
тип монтажа	поверхностный(SMT)
series	F-RAMв„ў ->
диапазон рабочих температур	-40…+85 С
base product number	FM22L16 ->
voltage - supply	2.7V ~ 3.6V
Вес и габариты
technology	FRAM (Ferroelectric RAM)
интерфейс	parallel
напряжение питания	2.7…3.6, Uраб.-3.3 В
время	доступа-55 нс
описание	4-Mbit(256K иN215, 16)F-RAM Memory
memory size	4Mb (256K x 16)
memory type	Non-Volatile
memory format	FRAM
access time	110ns
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	110ns
Память
Тип	М/с памяти серии FM22L16-55-TG

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

FM22L16-55-TG