DS1230Y-120+, Микросхема памяти, NV SRAM, 32Кx8бит, 4,5-5,5В, 120нс, DIP28

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DS1230Y-120+
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеNVRAM 256k Энергонезависимая SRAM
Maxim Integrated
Информация о производителе
ПроизводительMaxim Integrated
Основные
вес, г10.5
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаNVRAM
6 470
+
Бонус: 129.4 !
Бонусная программа
Итого: 6 470
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеNVRAM 256k Энергонезависимая SRAM
Информация о производителе
ПроизводительMaxim Integrated
Основные
вес, г10.5
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаNVRAM
максимальная рабочая температура+ 70 C
минимальная рабочая температура0 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки12
тип продуктаNVRAM
торговая маркаMaxim Integrated
упаковкаTube
упаковка / блокEDIP-28
серияDS1230Y
рабочий ток источника питания85 mA
длина39.12 mm
рабочее напряжение питания5 V
другие названия товара №90-1230Y+120 DS1230Y
напряжение питания - макс.5.5 V
напряжение питания - мин.4.5 V
тип интерфейсаParallel
Вес и габариты
организация32 k x 8
ширина шины данных8 bit
размер памяти256 kbit
время доступа120 ns
Высота 9.4 мм
ТипNVSRAM
Ширина18.8 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль