CY7C109D-10ZXI

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Стат. ОЗУ 1Mb 10ns 128K x 8 Fast Async Стат. ОЗУ
Информация о производителе
ПроизводительCypress Semiconductor
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
1 020
+
Бонус: 20.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 020
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Стат. ОЗУ 1Mb 10ns 128K x 8 Fast Async Стат. ОЗУ
Информация о производителе
ПроизводительCypress Semiconductor
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case32-TFSOP (0.724"", 18.40mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки468
тип продуктаSRAM
торговая маркаCypress Semiconductor
упаковкаTray
упаковка / блокTSOP-32
eccn3A991B2B
htsus8542.32.0041
video fileCypress’ IoT Memory: Power Snooze SRAM
серияCY7C109D
reach statusREACH Unaffected
supplier device package32-TSOP I
pin count32
packagingTray
напряжение питания - макс.80 mA, 5.5 V
напряжение питания - мин.4.5 V
тип интерфейсаParallel
automotiveNo
eu rohsCompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)85
mountingSurface Mount
part statusActive
pcb changed32
ppapNo
standard package nameSOP
supplier packageTSOP-I
base product numberCY7C109 ->
voltage - supply4.5V ~ 5.5V
eccn (us)3A991b.2.b.
minimum operating temperature (°c)-40
supplier temperature gradeIndustrial
maximum operating supply voltage (v)5.5
process technologyCMOS
Вес и габариты
minimum operating supply voltage (v)4.5
typical operating supply voltage (v)5
technologySRAM - Asynchronous
организация128 k x 8
number of ports1
размер памяти1 Mbit
тип памятиVolatile
memory size1Mb (128K x 8)
memory typeVolatile
memory formatSRAM
время доступа10 ns
chip density (bit)1M
max. access time (ns)10
operating current (ma)80
number of bits/word (bit)8
number of words128K
timing typeAsynchronous
access time10ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page10ns
data rate architectureSDR
ТипAsynchronous
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль