SRAM - микросхема асинхронной памяти 4 Мб (512 КБ x 8), параллельная 10 нс 44-TSOP II

Подробное описание

Основные
вес, г	0.46
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)

810 ₽

- +

Бонус: 16.2 !

Бонусная программа

Итого: 810 ₽

Купить

SRAM - микросхема асинхронной памяти 4 Мб (512 КБ x 8), параллельная 10 нс 44-TSOP II

Основные
вес, г	0.46
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray
package / case	44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs status	ROHS3 Compliant
eccn	3A991B2A
htsus	8542.32.0041
video file	CypressвЂ™ IoT Memory: Power Snooze SRAM
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	44-TSOP II
base product number	CY7C1049 ->
voltage - supply	2.2V ~ 3.6V
Вес и габариты
technology	SRAM - Asynchronous
memory size	4Mb (512K x 8)
memory type	Volatile
memory format	SRAM
access time	10ns
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	10ns

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

CY7C1049GN30-10ZSXI, SRAM, 4 Мбит, 512К x 8бит, 2.2В до 3.6В, TSOP-II, 44 вывод(-ов), 10 нс