CY7C1021D-10ZSXI, Микросхема, память SRAM, 64Кx16бит, 4,5-5,5В, 10нс, TSOP44 II (CY7C1021D-10ZSXI) — купить | ООО «Телеметрия» 


CY7C1021D-10ZSXI, Микросхема, память SRAM, 64Кx16бит, 4,5-5,5В, 10нс, TSOP44 II

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: CY7C1021D-10ZSXI
SRAM - микросхема асинхронной памяти 1 Мб (64 КБ x 16), параллельная 10 нс 44-TSOP II
Основные
вес, г0.46
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
630
- +
Бонус: 12.6 !
Бонусная программа
Итого: 630
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
SRAM - микросхема асинхронной памяти 1 Мб (64 КБ x 16), параллельная 10 нс 44-TSOP II
Основные
вес, г0.46
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
eccn3A991B2B
htsus8542.32.0041
video fileCypress’ IoT Memory: Power Snooze SRAM
reach statusREACH Unaffected
supplier device package44-TSOP II
base product numberCY7C1021 ->
voltage - supply4.5V ~ 5.5V
Вес и габариты
technologySRAM - Asynchronous
memory size1Mb (64K x 16)
memory typeVolatile
memory formatSRAM
access time10ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page10ns
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль