CY7C1021CV33-12ZSXE — купить | ООО «Телеметрия» 


CY7C1021CV33-12ZSXE

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Интегральные схемы - ИС\ИС памяти\Стат. ОЗУСтат. ОЗУ 2Mb 3.3V 12ns 64Kx16 Fast Async Стат. ОЗУ
Основные
вес, г1.786
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 125В°C (TA)
2 280
- +
Бонус: 45.6 !
Бонусная программа
Итого: 2 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Интегральные схемы - ИС\ИС памяти\Стат. ОЗУСтат. ОЗУ 2Mb 3.3V 12ns 64Kx16 Fast Async Стат. ОЗУ
Основные
вес, г1.786
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 125В°C (TA)
packageTray
package / case44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+ 125 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки270
тип продуктаSRAM
торговая маркаCypress Semiconductor
упаковкаTray
упаковка / блокTSOP-44
чувствительный к влажностиYes
eccn3A991B2B
htsus8542.32.0041
video fileCypress’ IoT Memory: Power Snooze SRAM
серияCY7C1021CV33
reach statusREACH Unaffected
supplier device package44-TSOP II
напряжение питания - макс.90 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.3 V
тип интерфейсаParallel
base product numberCY7C1021 ->
voltage - supply3V ~ 3.6V
Вес и габариты
technologySRAM - Asynchronous
организация64 k x 16
количество портов1
размер памяти1 Mbit
тип памятиVolatile
memory size1Mb (64K x 16)
memory typeVolatile
memory formatSRAM
время доступа12 ns
access time12ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page12ns
ТипAsynchronous
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль