CY7C1018DV33-10VXI — купить | ООО «Телеметрия» 


CY7C1018DV33-10VXI

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Стат. ОЗУ 1M 10ns 3.3V 128Kx8 Fast Async Стат. ОЗУ
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTube
1 000
- +
Бонус: 20 !
Бонусная программа
Итого: 1 000
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Стат. ОЗУ 1M 10ns 3.3V 128Kx8 Fast Async Стат. ОЗУ
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTube
package / case32-BSOJ (0.300"", 7.62mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки345
тип продуктаSRAM
торговая маркаCypress Semiconductor
упаковкаTube
упаковка / блокSOJ-32
чувствительный к влажностиYes
eccn3A991B2B
htsus8542.32.0041
video fileCypress’ IoT Memory: Power Snooze SRAM
серияCY7C1018DV33
reach statusREACH Unaffected
supplier device package32-SOJ
pin count32
packagingTube
напряжение питания - макс.60 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.3 V
тип интерфейсаParallel
automotiveNo
eu rohscompliant
lead shapeJ-Lead
maximum operating temperature (°c)85
mountingsurface mount
part statusactive
pcb changed32
ppapNo
standard package nameSOJ
supplier packageSOJ
base product numberCY7C1018 ->
voltage - supply3V ~ 3.6V
eccn (us)ear99
minimum operating temperature (°c)-40
supplier temperature gradeIndustrial
maximum operating supply voltage (v)3.6
Вес и габариты
minimum operating supply voltage (v)3
typical operating supply voltage (v)3.3
technologySRAM - Asynchronous
организация128 k x 8
number of ports1
количество портов1
размер памяти1 Mbit
тип памятиVolatile
memory size1Mb (128K x 8)
memory typeVolatile
memory formatSRAM
время доступа10 ns
chip density (bit)1M
max. access time (ns)10
operating current (ma)60
number of bits/word (bit)8
number of words128K
timing typeAsynchronous
access time10ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page10ns
data rate architectureSDR
ТипAsynchronous
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль