CY62177G30-55ZXI, SRAM, 32 Мбит, 2М x 16бит / 4М x 8бит, 2.2В до 3.6В, TSOP-I, 48 вывод(-ов), 55 нс

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: CY62177G30-55ZXI
SRAM - ИС асинхронной памяти 32 Мб (4M x 8, 2M x 16), параллельный 55 нс, 48-TSOP I
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
11 420
- +
Бонус: 228.4 !
Бонусная программа
Итого: 11 420
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
SRAM - ИС асинхронной памяти 32 Мб (4M x 8, 2M x 16), параллельный 55 нс, 48-TSOP I
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case48-TFSOP (0.724"", 18.40mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
eccn3A991B2A
htsus8542.32.0041
reach statusREACH Unaffected
supplier device package48-TSOP I
seriesMoBLВ® ->
base product numberCY62177 ->
voltage - supply2.2V ~ 3.6V
Вес и габариты
technologySRAM - Asynchronous
memory size32Mb (4M x 8, 2M x 16)
memory typeVolatile
memory formatSRAM
access time55ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page55ns
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль