CY62157EV30LL-45BVXI

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Стат. ОЗУ 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP Стат. ОЗУ
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
1 510
- +
Бонус: 30.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 510
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Стат. ОЗУ 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP Стат. ОЗУ
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case48-VFBGA
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки480
тип продуктаSRAM
торговая маркаCypress Semiconductor
упаковкаTray
упаковка / блокVFBGA-48
чувствительный к влажностиYes
eccn3A991B2A
htsus8542.32.0041
video fileCypress’ IoT Memory: Power Snooze SRAM
серияCY62157EV30LL
reach statusREACH Unaffected
supplier device package48-VFBGA (6x8)
коммерческое обозначениеMoBL
pin count48
packagingTray
seriesMoBLВ® ->
напряжение питания - макс.25 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.2.2 V
тип интерфейсаParallel
automotiveNo
eu rohscompliant
lead shapeBall
maximum operating temperature (°c)85
mountingsurface mount
part statusactive
pcb changed48
ppapNo
standard package nameBGA
supplier packageVFBGA
base product numberCY62157 ->
voltage - supply2.2V ~ 3.6V
eccn (us)3A991b.2.a.
minimum operating temperature (°c)-40
supplier temperature gradeIndustrial
maximum operating supply voltage (v)3.6
process technology90nm, CMOS
Вес и габариты
minimum operating supply voltage (v)2.2
typical operating supply voltage (v)3
technologySRAM - Asynchronous
организация512 k x 16
number of ports1
количество портов1
размер памяти8 Mbit
тип памятиVolatile
memory size8Mb (512K x 16)
memory typeVolatile
memory formatSRAM
время доступа45 ns
chip density (bit)8M
max. access time (ns)45
operating current (ma)25
number of bits/word (bit)16
number of words512K
timing typeAsynchronous
access time45ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page45ns
data rate architectureSDR
ТипAsynchronous
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль