CY62148EV30LL-45BVXI, SRAM, 4 Мбит, 512К x 8бит, 2.2В до 3.6В, VFBGA, 36 вывод(-ов), 45 нс
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: CY62148EV30LL-45BVXI
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAM Асинхронная статическая память RAM, Cypress Semiconductor
| Основные | |
| вес, г | 0.08 |
| moisture sensitivity level (msl) | 3 (168 Hours) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
| package | Tray |
| package / case | 36-VFBGA |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| максимальная рабочая температура | 85 C |
| минимальная рабочая температура | -40 C |
| eccn | 3A991B2A |
| htsus | 8542.32.0041 |
| video file | Cypress’ IoT Memory: Power Snooze SRAM |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | 36-VFBGA (6x8) |
| длина | 6мм |
| тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| число контактов | 36 |
| размеры | 6 x 8 x 0.84мм |
| package type | VFBGA |
| width | 8мм |
| pin count | 36 |
| maximum operating temperature | +85 °C |
| packaging | Tray |
| series | MoBLВ® -> |
| количество выводов | 36вывод(-ов) |
| automotive | No |
| eu rohs | compliant |
| lead shape | Ball |
| maximum operating temperature (°c) | 85 |
| mounting | surface mount |
| part status | active |
| pcb changed | 36 |
| ppap | No |
| standard package name | BGA |
| supplier package | VFBGA |
| base product number | CY62148 -> |
| voltage - supply | 2.2V ~ 3.6V |
| eccn (us) | 3A991.b.2.a |
| minimum operating temperature (°c) | -40 |
| supplier temperature grade | Industrial |
| уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 3-168 часов |
| диапазон напряжения питания | 2.2В до 3.6В |
| height | 0.84мм |
| maximum operating supply voltage (v) | 3.6 |
| process technology | CMOS |
| Вес и габариты | |
| минимальное рабочее напряжение питания | 2,2 В |
| максимальное рабочее напряжение питания | 3,6 В |
| minimum operating supply voltage (v) | 2.2 |
| typical operating supply voltage (v) | 2.5|3|3.3 |
| technology | SRAM - Asynchronous |
| организация | 512К x 8 бит |
| number of ports | 1 |
| размер памяти | 4Мбит |
| memory size | 4Mb (512K x 8) |
| memory type | Volatile |
| объем памяти | 4Мбит |
| memory format | SRAM |
| время доступа | 45нс |
| chip density (bit) | 4M |
| max. access time (ns) | 45 |
| operating current (ma) | 20 |
| number of bits/word (bit) | 8 |
| number of words | 512K |
| timing type | Asynchronous |
| access time | 45ns |
| memory interface | Parallel |
| write cycle time - word, page | 45ns |
| количество слов | 512K |
| data rate architecture | SDR |
| low power | Yes |
| maximum random access time | 45нс |
| стиль корпуса микросхемы памяти | VFBGA |
| количество бит на слово | 8бит |
| ширина адресной шины | 8бит |
| конфигурация памяти sram | 512К x 8бит |
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
