CY62148ELL-55SXI, 512Kx8, 55ns

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: CY62148ELL-55SXI
Микросхемы / Микросхемы памяти / Статическая память - SRAMкорпус: SO32, инфо: SRAM 4MBIT LLPow as 5V 512kx8 55ns, примечание: 512Kx8, 55ns Асинхронная память SRAM Micropower (MoBL), Cypress Semiconductor Устройства памяти SRAM с низким энергопотреблением MoBL обладают высокой эффективностью и предлагают лучшие в отрасли характеристики рассеиваемой мощности в режиме ожидания (максимальные). SRAM (Статическая оперативная память)
Основные
вес, г2.3
максимальная рабочая температура+85 C
минимальная рабочая температура-40 C
тип корпусаSOIC
270
- +
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Микросхемы / Микросхемы памяти / Статическая память - SRAMкорпус: SO32, инфо: SRAM 4MBIT LLPow as 5V 512kx8 55ns, примечание: 512Kx8, 55ns Асинхронная память SRAM Micropower (MoBL), Cypress Semiconductor Устройства памяти SRAM с низким энергопотреблением MoBL обладают высокой эффективностью и предлагают лучшие в отрасли характеристики рассеиваемой мощности в режиме ожидания (максимальные). SRAM (Статическая оперативная память)
Основные
вес, г2.3
максимальная рабочая температура+85 C
минимальная рабочая температура-40 C
тип корпусаSOIC
тип монтажаПоверхностный монтаж
число контактов32
pin count32
packagingTube
eu rohscompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)85
mountingsurface mount
part statusactive
pcb changed32
standard package nameSOP
supplier packageSOIC
eccn (us)3A991.b.2.a
minimum operating temperature (°c)-40
supplier temperature gradeIndustrial
hts8542.32.00.41
package height2.82(Max)
package length20.75(Max)
package width11.43(Max)
maximum operating supply voltage (v)5.5
process technology90nm, CMOS
Вес и габариты
минимальное рабочее напряжение питания4.5 В
максимальное рабочее напряжение питания5.5 В
minimum operating supply voltage (v)4.5
typical operating supply voltage (v)5
организация512К x 8 бит
number of ports1
объем памяти4Мбит
chip density (bit)4M
max. access time (ns)55
operating current (ma)20
number of bits/word (bit)8
number of words512K
timing typeAsynchronous
address bus width (bit)19
максимальное время произвольного доступа45нс
количество слов512K
data rate architectureSDR
количество бит на слово8бит
низкая мощностьДа
ширина адресной шины8бит
частота синхронизации1МГц
Ширина11.43 мм
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль