CY62146EV30LL-45BVXI, SRAM, CY62146EV30LL-45BVXI- 4Mbit

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: CY62146EV30LL-45BVXI
Стат. ОЗУ 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP Стат. ОЗУ
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
1 640
- +
Бонус: 32.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 640
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Стат. ОЗУ 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP Стат. ОЗУ
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case48-VFBGA
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки480
тип продуктаSRAM
торговая маркаCypress Semiconductor
упаковкаTray
упаковка / блокVFBGA-48
чувствительный к влажностиYes
eccn3A991B2A
htsus8542.32.0041
video fileCypress’ IoT Memory: Power Snooze SRAM
серияCY62146EV30LL
reach statusREACH Unaffected
supplier device package48-VFBGA (6x8)
коммерческое обозначениеMoBL
pin count48
packagingTray
seriesMoBLВ® ->
напряжение питания - макс.20 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.2.2 V
тип интерфейсаParallel
eu rohscompliant
lead shapeBall
maximum operating temperature (°c)85
mountingsurface mount
part statusactive
pcb changed48
standard package nameBGA
supplier packageVFBGA
base product numberCY62146 ->
voltage - supply2.2V ~ 3.6V
eccn (us)3A991.b.2.a
minimum operating temperature (°c)-40
supplier temperature gradeIndustrial
hts8542.32.00.41
package height0.81(Max)
package length8
package width6
maximum operating supply voltage (v)3.6
process technologyCMOS
Вес и габариты
minimum operating supply voltage (v)2.2
typical operating supply voltage (v)3
technologySRAM - Asynchronous
организация256 k x 16
number of ports1
количество портов1
размер памяти4 Mbit
тип памятиVolatile
memory size4Mb (256K x 16)
memory typeVolatile
memory formatSRAM
время доступа45 ns
chip density (bit)4M
max. access time (ns)45
operating current (ma)20
number of bits/word (bit)16
number of words256K
timing typeAsynchronous
address bus width (bit)18
access time45ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page45ns
data rate architectureSDR
ТипAsynchronous
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль