CY62146ELL-45ZSXI, SRAM, 4 Мбит, 256К x 16бит, 4.5В до 5.5В, TSOP-II, 44 вывод(-ов), 45 нс

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: CY62146ELL-45ZSXI
SRAM - ИС асинхронной памяти 4 Мб (256 КБ x 16), параллельный 45 нс 44-TSOP II
Основные
вес, г0.4
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
2 440
- +
Бонус: 48.8 !
Бонусная программа
Итого: 2 440
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
SRAM - ИС асинхронной памяти 4 Мб (256 КБ x 16), параллельный 45 нс 44-TSOP II
Основные
вес, г0.4
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
eccn3A991B2A
htsus8542.32.0041
video fileCypress’ IoT Memory: Power Snooze SRAM
reach statusREACH Unaffected
supplier device package44-TSOP II
pin count44
packagingTray
seriesMoBLВ® ->
automotiveNo
eu rohscompliant
lead shapeGull-wing
maximum operating temperature (°c)85
mountingsurface mount
part statusactive
pcb changed44
ppapNo
standard package nameSOP
supplier packageTSOP-II
base product numberCY62146 ->
voltage - supply4.5V ~ 5.5V
eccn (us)3A991b.2.a.
minimum operating temperature (°c)-40
supplier temperature gradeIndustrial
maximum operating supply voltage (v)5.5
process technologyCMOS
Вес и габариты
minimum operating supply voltage (v)4.5
typical operating supply voltage (v)5
technologySRAM - Asynchronous
number of ports1
memory size4Mb (256K x 16)
memory typeVolatile
memory formatSRAM
chip density (bit)4M
max. access time (ns)45
operating current (ma)20
number of bits/word (bit)16
number of words256K
timing typeAsynchronous
access time45ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page45ns
data rate architectureSDR
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль