CY14B104NA-ZS25XI, Энергонезависимая SRAM (NVSRAM), 4Мбит, 256K x 16бит, параллельный интерфейс, 2.7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: CY14B104NA-ZS25XI
NVSRAM (энергонезависимая SRAM) ИС памяти 4 Мб (256 КБ x 16) Параллельный 25 нс 44-TSOP II
Основные
вес, г0.4
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
8 870
- +
Бонус: 177.4 !
Бонусная программа
Итого: 8 870
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
NVSRAM (энергонезависимая SRAM) ИС памяти 4 Мб (256 КБ x 16) Параллельный 25 нс 44-TSOP II
Основные
вес, г0.4
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
eccn3A991B2A
htsus8542.32.0041
reach statusREACH Unaffected
supplier device package44-TSOP II
base product numberCY14B104 ->
voltage - supply2.7V ~ 3.6V
Вес и габариты
technologyNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
memory size4Mb (256K x 16)
memory typeNon-Volatile
memory formatNVSRAM
access time25ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page25ns
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль