AS7C325632-10BIN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - ИС асинхронной памяти 8 Мбайт (1M x 8) Параллельный 10ns 90-TFBGA (8x13)
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
5 390
- +
Бонус: 107.8 !
Бонусная программа
Итого: 5 390
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - ИС асинхронной памяти 8 Мбайт (1M x 8) Параллельный 10ns 90-TFBGA (8x13)
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case90-TFBGA
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки240
тип продуктаSRAM
торговая маркаAlliance Memory
упаковкаTray
упаковка / блокTFBGA-90
чувствительный к влажностиYes
eccn3A991B2A
htsus8542.32.0041
серияAS7C325632
reach statusREACH Unaffected
supplier device package90-TFBGA (8x13)
напряжение питания - макс.180 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.2.7 V
тип интерфейсаParallel
voltage - supply2.7V ~ 3.6V
Вес и габариты
technologySRAM - Asynchronous
организация256 k x 32
размер памяти8 Mbit
тип памятиsram
memory size8Mb (1M x 8)
memory typeVolatile
memory formatSRAM
время доступа10 ns
access time10ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page10ns
ТипHigh Speed
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль