AS6C8016-55BIN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - ИС асинхронной памяти 8 Мб (512 КБ x 16), параллельный 55 нс, 48-TFBGA (6 x 8)
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
2 260
- +
Бонус: 45.2 !
Бонусная программа
Итого: 2 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Integrated Circuits (ICs)\MemorySRAM - ИС асинхронной памяти 8 Мб (512 КБ x 16), параллельный 55 нс, 48-TFBGA (6 x 8)
Основные
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case48-LFBGA
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки480
тип продуктаSRAM
торговая маркаAlliance Memory
упаковкаTray
упаковка / блокTBGA-48
eccn3A991B2A
htsus8542.32.0041
серияAS6C8016
reach statusREACH Unaffected
supplier device package48-TFBGA (6x8)
напряжение питания - макс.60 mA, 5.5 V
напряжение питания - мин.2.7 V
тип интерфейсаParallel
voltage - supply2.7V ~ 5.5V
Вес и габариты
technologySRAM - Asynchronous
организация512 k x 16
размер памяти8 Mbit
тип памятиSDR
memory size8Mb (512K x 16)
memory typeVolatile
memory formatSRAM
время доступа55 ns
access time55ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page55ns
ТипAsynchronous
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль