AS6C8008-55ZIN, IC: память SRAM; 1024Кx8бит; 2,7?5,5В; 55нс; TSOP44 II; 400mils

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: AS6C8008-55ZIN
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеСтат. ОЗУ 8M, 2.7-5.5V, 55ns 1024K x 8 Asyn Стат. ОЗУ
Информация о производителе
ПроизводительAlliance Memory
Основные
вес, г4.43
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
1 950
+
Бонус: 39 !
Бонусная программа
Итого: 1 950
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеСтат. ОЗУ 8M, 2.7-5.5V, 55ns 1024K x 8 Asyn Стат. ОЗУ
Информация о производителе
ПроизводительAlliance Memory
Основные
вес, г4.43
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+85 °C
минимальная рабочая температура-40 °C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки135
тип продуктаSRAM
торговая маркаAlliance Memory
упаковкаTray
упаковка / блокTSOP II-44
чувствительный к влажностиYes
серияAS6C8008
длина18.42мм
тип корпусаТонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
тип монтажаПоверхностный монтаж
число контактов44
размеры18.42 x 10.16 x 1мм
напряжение питания - макс.60 mA, 5.5 V
напряжение питания - мин.2.7 V
тип интерфейсаParallel
Вес и габариты
минимальное рабочее напряжение питания2,7 В
максимальное рабочее напряжение питания5,5 В
организация1024К слов x 8 бит
размер памяти8 Mbit
тип памятиSDR
объем памяти8Мбит
время доступа55 ns
тип синхронизацииАсинхронный
максимальное время произвольного доступа55нс
количество слов
low powerYes
количество бит на слово8бит
ширина адресной шины20бит
Высота 1 мм
ТипAsynchronous
Ширина10.16 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль