Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеСтат. ОЗУ 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch Стат. ОЗУ

Подробное описание

Основные
вес, г	5.48
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	0В°C ~ 70В°C (TA)

740 ₽

- +

Бонус: 14.8 !

Бонусная программа

Итого: 740 ₽

Купить

Основные
вес, г	5.48
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	0В°C ~ 70В°C (TA)
package	Tube
package / case	28-SOIC (0.330"", 8.38mm Width)
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Стат. ОЗУ
максимальная рабочая температура	+ 70 C
минимальная рабочая температура	0 C
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	25
тип продукта	SRAM
торговая марка	Alliance Memory
упаковка	Tube
упаковка / блок	SOP-28
eccn	EAR99
htsus	8542.32.0041
серия	AS6C6264
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	28-SOP
напряжение питания - макс.	45 mA, 5.5 V
напряжение питания - мин.	2.7 V
тип интерфейса	Parallel
voltage - supply	2.7V ~ 5.5V
Вес и габариты
technology	SRAM - Asynchronous
организация	8 k x 8
размер памяти	64 kbit
тип памяти	SDR
memory size	64Kb (8K x 8)
memory type	Volatile
memory format	SRAM
время доступа	55 ns
access time	55ns
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	55ns
Тип	Asynchronous

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

AS6C6264-55SCN, IC: память SRAM; 8Кx8бит; 2,7?5,5В; 55нс; SOP28; параллельный