AS6C6264-55PCN, IC: память SRAM; 8Кx8бит; 2,7?5,5В; 55нс; DIP28; параллельный

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: AS6C6264-55PCN
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеSRAM - ИС асинхронной памяти 64 КБ (8 КБ x 8) Параллельный 55 нс 28-PDIP
Информация о производителе
ПроизводительAlliance Memory
Основные
вес, г4.81
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
1 050
+
Бонус: 21 !
Бонусная программа
Итого: 1 050
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеSRAM - ИС асинхронной памяти 64 КБ (8 КБ x 8) Параллельный 55 нс 28-PDIP
Информация о производителе
ПроизводительAlliance Memory
Основные
вес, г4.81
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature0В°C ~ 70В°C (TA)
packageTube
package / case28-DIP (0.600"", 15.24mm)
rohs statusROHS3 Compliant
максимальная рабочая температура+70 °C
минимальная рабочая температура0 °C
eccnEAR99
htsus8542.32.0041
reach statusREACH Unaffected
supplier device package28-PDIP
длина36.32мм
тип корпусаPDIP
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
число контактов28
размеры36.32 x 13.21 x 3.81мм
voltage - supply2.7V ~ 5.5V
Вес и габариты
минимальное рабочее напряжение питания2,7 В
максимальное рабочее напряжение питания5,5 В
напряжение питания - макс.:5.5 V
напряжение питания - мин.:2.7 V
technologySRAM - Asynchronous
организация8К слов x 8 бит
memory size64Kb (8K x 8)
корпус:PDIP-28
memory typeVolatile
объем памяти64Кбит
memory formatSRAM
тип синхронизацииАсинхронный
access time55ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page55ns
максимальное время произвольного доступа55нс
количество слов8K
low powerYes
количество бит на слово8бит
ширина адресной шины13бит
Высота 3.81 мм
Ширина13.21 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль