Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеСтат. ОЗУ 4M, 2.7-5.5V, 55ns 256K x 16 Asyn Стат. ОЗУ

Подробное описание

Основные
вес, г	1.27
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)

1 290 ₽

- +

Бонус: 25.8 !

Бонусная программа

Итого: 1 290 ₽

Купить

Основные
вес, г	1.27
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray
package / case	44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Стат. ОЗУ
максимальная рабочая температура	+ 85 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	135
тип продукта	SRAM
торговая марка	Alliance Memory
упаковка	Tray
упаковка / блок	TSOP II-44
eccn	3A991B2A
htsus	8542.32.0041
серия	AS6C4016
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	44-TSOP II
напряжение питания - макс.	60 mA, 5.5 V
напряжение питания - мин.	2.7 V
тип интерфейса	Parallel
voltage - supply	2.7V ~ 5.5V
Вес и габариты
technology	SRAM - Asynchronous
организация	256 k x 16
размер памяти	4 Mbit
тип памяти	SDR
memory size	4Mb (256K x 16)
memory type	Volatile
memory format	SRAM
время доступа	55 ns
access time	55ns
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	55ns
Тип	Asynchronous

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

AS6C4016-55ZIN, IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,7?5,5В; 55нс; TSOP44 II; 400mils