AS6C4008-55ZIN, IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,7?5В; 55нс; TSOP32 II; параллельный

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: AS6C4008-55ZIN
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеSRAM - ИС асинхронной памяти 4 Мб (512 КБ x 8), параллельный 55 нс, 32 TSOP II
Основные
вес, г5.32
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
1 280
- +
Бонус: 25.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеSRAM - ИС асинхронной памяти 4 Мб (512 КБ x 8), параллельный 55 нс, 32 TSOP II
Основные
вес, г5.32
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case32-SOIC (0.400"", 10.16mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
eccn3A991B2A
htsus8542.32.0041
reach statusREACH Unaffected
supplier device package32-TSOP II
voltage - supply2.7V ~ 5.5V
factory pack quantity: factory pack quantity:117
manufacturer:Alliance Memory
maximum operating temperature:+85 C
minimum operating temperature:-40 C
mounting style:SMD/SMT
product category:SRAM
product type:SRAM
series:AS6C4008
subcategory:Memory и Data Storage
type:Asynchronous
packaging:Tray
Вес и габариты
moisture sensitive:Yes
package/case:TSOP II-32
supply voltage - max:5.5 V
supply voltage - min:2.7 V
technologySRAM - Asynchronous
interface type:Parallel
memory size4Mb (512K x 8)
memory typeVolatile
supply current - max:60 mA
memory formatSRAM
access time55ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page55ns
access time:55 ns
memory size:4 Mbit
organisation:512 k x 8
memory type:SDR
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль