AS6C4008-55TIN, IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,7?5В; 55нс; TSOP32; параллельный

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: AS6C4008-55TIN
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеSRAM - ИС асинхронной памяти 4 Мб (512 КБ x 8), параллельный 55 нс, 32 TSOP I
Основные
вес, г2.48
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
1 320
- +
Бонус: 26.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 320
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеSRAM - ИС асинхронной памяти 4 Мб (512 КБ x 8), параллельный 55 нс, 32 TSOP I
Основные
вес, г2.48
moisture sensitivity level (msl)3 (168 Hours)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTray
package / case32-TFSOP (0.724"", 18.40mm Width)
rohs statusROHS3 Compliant
eccn3A991B2A
htsus8542.32.0041
reach statusREACH Unaffected
supplier device package32-TSOP I
voltage - supply2.7V ~ 5.5V
Вес и габариты
technologySRAM - Asynchronous
memory size4Mb (512K x 8)
memory typeVolatile
memory formatSRAM
access time55ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page55ns
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль