Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеСтат. ОЗУ 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch Стат. ОЗУ

Подробное описание

Основные
вес, г	5.36
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)

1 430 ₽

- +

Бонус: 28.6 !

Бонусная программа

Итого: 1 430 ₽

Купить

Основные
вес, г	5.36
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tube
package / case	32-DIP (0.600"", 15.24mm)
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Стат. ОЗУ
максимальная рабочая температура	+ 85 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	13
тип продукта	SRAM
торговая марка	Alliance Memory
упаковка	Tube
упаковка / блок	PDIP-32
eccn	3A991B2A
htsus	8542.32.0041
серия	AS6C4008
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	32-PDIP
напряжение питания - макс.	60 mA, 5.5 V
напряжение питания - мин.	2.7 V
тип интерфейса	Parallel
voltage - supply	2.7V ~ 5.5V
Вес и габариты
technology	SRAM - Asynchronous
организация	512 k x 8
размер памяти	4 Mbit
тип памяти	SDR
memory size	4Mb (512K x 8)
memory type	Volatile
memory format	SRAM
время доступа	55 ns
access time	55ns
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	55ns
Тип	Asynchronous

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

AS6C4008-55PIN, IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,7?5В; 55нс; DIP32; параллельный