Микросхемы / Микросхемы памяти / Статическая память - SRAMкорпус: DIP32SRAM - ИС асинхронной памяти 4 Мб (512 КБ x 8), параллельный 55 нс, 32-PDIP

Подробное описание

Основные
вес, г	8.85
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	0В°C ~ 70В°C (TA)

610 ₽

- +

Бонус: 12.2 !

Бонусная программа

Итого: 610 ₽

Купить

Основные
вес, г	8.85
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	0В°C ~ 70В°C (TA)
package	Tube
package / case	32-DIP (0.600"", 15.24mm)
rohs status	ROHS3 Compliant
eccn	3A991B2A
htsus	8542.32.0041
серия	as6c
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	32-PDIP
voltage - supply	2.7V ~ 5.5V
Вес и габариты
напряжение питания, в	2.7…5.5 в
рабочая температура	0…+70 гр.c
рабочая температура, °c	0…+70 гр.c
technology	SRAM - Asynchronous
интерфейс	parallel
напряжение питания	2.7…5.5 В
тип памяти	sram
memory size	4Mb (512K x 8)
memory type	Volatile
объем памяти	4 мбит(512k x 8)
максимальная тактовая частота (скорость)	55 нс
memory format	SRAM
access time	55ns
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	55ns

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

AS6C4008-55PCN, (512K x 8, 55ns,), память SRAM 512K x 8 55нс