SRAM - микросхема асинхронной памяти 1 Мб (128 КБ x 8), параллельная, 55 нс, 32-с, TSOP

Подробное описание

Основные
вес, г	2.65
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)

740 ₽

- +

Бонус: 14.8 !

Бонусная программа

Итого: 740 ₽

Купить

SRAM - микросхема асинхронной памяти 1 Мб (128 КБ x 8), параллельная, 55 нс, 32-с, TSOP

Основные
вес, г	2.65
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray
package / case	32-LFSOP (0.465"", 11.80mm Width)
rohs status	ROHS3 Compliant
eccn	EAR99
htsus	8542.32.0041
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	32-sTSOP
voltage - supply	2.7V ~ 5.5V
Вес и габариты
technology	SRAM - Asynchronous
memory size	1Mb (128K x 8)
memory type	Volatile
memory format	SRAM
access time	55ns
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	55ns

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

AS6C1008-55STIN, IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,7?5,5В; 55нс; STSOP32; параллельный