AS6C1008-55PIN, IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,7?5,5В; 55нс; DIP32; параллельный

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: AS6C1008-55PIN
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеСтат. ОЗУ 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch Стат. ОЗУ
Основные
вес, г5.42
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
1 080
- +
Бонус: 21.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 080
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельныеСтат. ОЗУ 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch Стат. ОЗУ
Основные
вес, г5.42
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-40В°C ~ 85В°C (TA)
packageTube
package / case32-DIP (0.600"", 15.24mm)
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаСтат. ОЗУ
максимальная рабочая температура+ 85 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMemory Data Storage
размер фабричной упаковки13
тип продуктаSRAM
торговая маркаAlliance Memory
упаковкаTube
упаковка / блокPDIP-32
eccnEAR99
htsus8542.32.0041
серияAS6C1008
reach statusREACH Unaffected
supplier device package32-PDIP
напряжение питания - макс.60 mA, 5.5 V
напряжение питания - мин.2.7 V
тип интерфейсаParallel
voltage - supply2.7V ~ 5.5V
Вес и габариты
technologySRAM - Asynchronous
организация128 k x 8
размер памяти1 Mbit
тип памятиSDR
memory size1Mb (128K x 8)
memory typeVolatile
memory formatSRAM
время доступа55 ns
access time55ns
memory interfaceParallel
write cycle time - word, page55ns
ТипAsynchronous
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль