Integrated Circuits (ICs)\MemoryИС памяти SDRAM 128 МБ (8M x 16) Параллельный 166 МГц 5ns 54-TSOP II

Подробное описание

Основные
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 105В°C (TA)
package	Tray

1 640 ₽

- +

Бонус: 32.8 !

Бонусная программа

Итого: 1 640 ₽

Купить

Integrated Circuits (ICs)\MemoryИС памяти SDRAM 128 МБ (8M x 16) Параллельный 166 МГц 5ns 54-TSOP II

Основные
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 105В°C (TA)
package	Tray
package / case	54-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	DRAM
максимальная рабочая температура	+ 105 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	108
тип продукта	DRAM
торговая марка	Alliance Memory
упаковка	Tray
упаковка / блок	TSOP-54
чувствительный к влажности	Yes
eccn	EAR99
htsus	8542.32.0002
серия	AS4C8M16SA
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	54-TSOP II
series	Automotive, AEC-Q100 ->
напряжение питания - макс.	60 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.	3 V
voltage - supply	3V ~ 3.6V
Вес и габариты
technology	SDRAM
организация	8 M x 16
ширина шины данных	16 bit
размер памяти	128 Mbit
memory size	128Mb (8M x 16)
максимальная тактовая частота	166 MHz
memory type	Volatile
memory format	DRAM
время доступа	5 ns
access time	5ns
clock frequency	166MHz
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	12ns
Тип	SDRAM

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

AS4C8M16SA-6TAN