Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемыПамять SDRAM IC 512 МБ (64M x 8) Параллельный 133 МГц 17ns 54-TSOP II

Подробное описание

Основные
вес, г	0.5
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)

3 710 ₽

- +

Бонус: 74.2 !

Бонусная программа

Итого: 3 710 ₽

Купить

Основные
вес, г	0.5
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-40В°C ~ 85В°C (TA)
package	Tray
package / case	54-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs status	ROHS3 Compliant
eccn	EAR99
htsus	8542.32.0028
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	54-TSOP II
voltage - supply	3V ~ 3.6V
вид монтажа:	SMD/SMT
категория продукта:	DRAM
максимальная рабочая температура:	+ 85 C
минимальная рабочая температура:	- 40 C
подкатегория:	Memory & Data Storage
производитель:	Alliance Memory
серия:	AS4C64M8SC
тип продукта:	DRAM
торговая марка:	Alliance Memory
размер фабричной упаковки:	108
тип:	SDRAM
упаковка:	Tray
упаковка / блок:	TSOP-54
Вес и габариты
чувствительный к влажности:	Yes
напряжение питания - макс.:	3.6 V
напряжение питания - мин.:	3 V
организация:	64 M x 8
technology	SDRAM
memory size	512Mb (64M x 8)
memory type	Volatile
memory format	DRAM
access time	17ns
clock frequency	133MHz
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	15ns
ширина шины данных:	8 bit
максимальная тактовая частота:	143 MHz
размер памяти:	512 Mbit

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

AS4C64M8SC-7TIN, IC: память DRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II; -40?85°C; лоток