Микросхемы / Микросхемы памяти / Динамическая память - SDRAMкорпус: 66-TSOPDRAM 512 МБ, 2,5 В, 200 МГц 64 МБ x 8 DDR1

Подробное описание

Основные
вес, г	0.163
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	DRAM
максимальная рабочая температура	+ 85 C

310 ₽

- +

Бонус: 6.2 !

Бонусная программа

Итого: 310 ₽

Купить

Микросхемы / Микросхемы памяти / Динамическая память - SDRAMкорпус: 66-TSOPDRAM 512 МБ, 2,5 В, 200 МГц 64 МБ x 8 DDR1

Основные
вес, г	0.163
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	DRAM
максимальная рабочая температура	+ 85 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	108
тип продукта	DRAM
торговая марка	Alliance Memory
упаковка	Tray
упаковка / блок	TSOP-66
серия	AS4C64M8D1
напряжение питания - макс.	130 mA, 2.7 V
напряжение питания - мин.	2.3 V
Вес и габариты
организация	64 M x 8
ширина шины данных	8 bit
размер памяти	512 Mbit
максимальная тактовая частота	200 MHz
время доступа	0.7 ns
Тип	SDRAM - DDR1

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

AS4C64M8D1-5TIN, Динамическое ОЗУ 64MX8 200МГц 66TSOP