AS4C4M16SA-6TIN, IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4с; TSOP54 II; -40?85°C
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемы
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
Отзывов нет









