Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемыDRAM 256 МБ, 3,3 В, 166 МГц, 32 МБ x 8 SDRAM

Подробное описание

Основные
вес, г	1
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	DRAM
максимальная рабочая температура	+ 85 C

890 ₽

- +

Бонус: 17.8 !

Бонусная программа

Итого: 890 ₽

Купить

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемыDRAM 256 МБ, 3,3 В, 166 МГц, 32 МБ x 8 SDRAM

Основные
вес, г	1
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	DRAM
максимальная рабочая температура	+ 85 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	108
тип продукта	DRAM
торговая марка	Alliance Memory
упаковка	Tray
упаковка / блок	TSOP-54
чувствительный к влажности	Yes
серия	AS4C32M8SA
напряжение питания - макс.	60 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.	3 V
Вес и габариты
организация	32 M x 8
ширина шины данных	8 bit
размер памяти	256 Mbit
максимальная тактовая частота	166 MHz
время доступа	5 ns
Тип	SDRAM

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

AS4C32M8SA-6TIN, IC: память DRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40?85°C