Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемыDRAM 512 МБ, 3,3 В, 143 МГц, 32 МБ x 16 SDRAM

Подробное описание

Основные
вес, г	4
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	0В°C ~ 70В°C (TA)

3 390 ₽

- +

Бонус: 67.8 !

Бонусная программа

Итого: 3 390 ₽

Купить

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемыDRAM 512 МБ, 3,3 В, 143 МГц, 32 МБ x 16 SDRAM

Основные
вес, г	4
moisture sensitivity level (msl)	3 (168 Hours)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	0В°C ~ 70В°C (TA)
package	Tray
package / case	54-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	DRAM
максимальная рабочая температура	+ 70 C
минимальная рабочая температура	0 C
подкатегория	Memory Data Storage
размер фабричной упаковки	108
тип продукта	DRAM
торговая марка	Alliance Memory
упаковка	Tray
упаковка / блок	TSOP-54
чувствительный к влажности	Yes
eccn	EAR99
htsus	8542.32.0028
серия	AS4C32M16SB
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	54-TSOP II
напряжение питания - макс.	110 mA, 3.6 V
напряжение питания - мин.	3 V
voltage - supply	3V ~ 3.6V
Вес и габариты
technology	SDRAM
организация	32 M x 16
ширина шины данных	16 bit
размер памяти	512 Mbit
memory size	512Mb (32M x 16)
максимальная тактовая частота	143 MHz
memory type	Volatile
memory format	DRAM
время доступа	5.4 ns
access time	5.4ns
clock frequency	143MHz
memory interface	Parallel
write cycle time - word, page	14ns
Тип	SDRAM

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

AS4C32M16SB-7TCN, IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0?70°C